RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
92
Wokół strony -171% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3119
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link