RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
92
Wokół strony -156% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
36
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2835
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB Porównanie pamięci RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link