RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
92
Wokół strony -207% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.1
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3637
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link