RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
92
Wokół strony -179% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2800
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology C 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.8F1 4GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.M8F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link