RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
92
Wokół strony -197% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2640
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link