RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
92
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
39
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
11.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
1881
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link