RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
92
Wokół strony -80% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.9
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
51
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
9.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2314
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link