RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
92
Wokół strony -80% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.9
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
51
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
9.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2314
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link