RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
92
Wokół strony -149% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.6
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
37
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
9.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2082
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link