RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
10
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
92
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
45
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2414
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link