RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
92
Wokół strony -171% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2962
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link