RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
92
Wokół strony -241% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3296
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link