RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
92
Wokół strony -300% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2922
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link