RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
92
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5.3
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
45
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
5.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
1535
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor KLCC28F-A8KI5 512MB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link