RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
55
92
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
55
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2293
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Jinyu 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link