RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
9.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
33
Prędkość odczytu, GB/s
9.9
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1691
3181
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link