RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Confronto
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
33
Intorno 12% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
9.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
33
Velocità di lettura, GB/s
9.9
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1691
3181
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link