RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
12.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
46
Intorno -35% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
34
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
2665
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link