RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.0
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2031
3283
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link