RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.0
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2031
3283
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link