RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB vs SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
37
Prędkość odczytu, GB/s
13.0
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2031
2230
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link