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Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
比较
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB vs SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
总分
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
总分
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
37
左右 27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
37
读取速度,GB/s
13.0
10.4
写入速度,GB/s
9.3
7.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2031
2230
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Frequency (Mhz) *
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
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