RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
36
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2083
2416
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB88D9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology C 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link