RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
46
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2728
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link