RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
62
86
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.7
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
86
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
12.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
5.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
1220
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 160C0 V3 Series 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link