Comparaison de la RAM Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Note globale

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

62 86

Autour de 28% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

3 12.1

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

5.7 1,843.6

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 6400

Autour de 3 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

542 1220

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns