Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Pontuação geral
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Pontuação geral
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InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    62 left arrow 86
    Por volta de 28% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    3 left arrow 12.1
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    5.7 left arrow 1,843.6
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 6400
    Por volta de 3 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    62 left arrow 86
  • Velocidade de leitura, GB/s
    3,556.6 left arrow 12.1
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,843.6 left arrow 5.7
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    542 left arrow 1220
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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