RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
62
86
Около 28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
12.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
5.7
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
86
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
12.1
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
5.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
1220
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link