RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
62
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
62
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2138
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
UMAX Technology 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link