RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
62
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
62
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2138
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link