RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
62
Rund um 47% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
62
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.3
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
2138
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
INTENSO 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link