RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
27
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
22.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
20.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2083
4421
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB88D9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link