RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
77
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3728
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link