RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
75
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
75
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2083
1548
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB88D9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link