RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB vs Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
39
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.5
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
18
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
18.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2431
3625
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link