RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
36
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
31
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
2869
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link