RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
36
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.1
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
26
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
3936
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link