RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Porównaj
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
40
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2233
2987
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link