RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Porównaj
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wynik ogólny
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
38
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
7.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
3.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
34
Prędkość odczytu, GB/s
7.2
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
3.0
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
915
2562
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link