RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Gesamtnote
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
38
Rund um -12% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.1
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
3.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.2
14.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3.0
9.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
915
2562
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link