RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
36
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
3526
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Crucial Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link