RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
36
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
27
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
3288
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link