RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
71
Wokół strony -145% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2635
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link