RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
71
Rund um -145% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
12.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
2635
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston FQ453-80003 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link