RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
36
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
26
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
3437
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link