RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Porównaj
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
49
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
8.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2427
2528
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link