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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
49
Por volta de -53% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
8.7
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
32
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.7
11.0
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2427
2528
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
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