RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
36
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
23
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
3171
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link