RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB против Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
36
Около -57% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
23
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
17.5
Скорость записи, Гб/сек
9.5
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2292
3171
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Jinyu 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link