RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
36
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
3463
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link