RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
77
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
13.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
5.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
77
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
5.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
1440
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link