RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Comparar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
77
Por volta de 53% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
13.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
5.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
77
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
13.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
5.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2292
1440
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB Comparações de RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link