RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
12
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
36
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
2537
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link